8-2 الأدوات الإلكترونية - كتاب الفيزياء - الصف 12 - الفصل 2 - المملكة العربية السعودية

تساوي 2.33 g/cm³، والكتلة الذرية للسيليكون تساوي 28.09 g/mol فما نسبة الذرات التي تحتوي على إلكترونات حرة؟

8-2 الأدوات الإلكترونية

LED إذا كان هبوط الجهد عبر الدايود المشع للضوء المتوهج يساوي 1.2 V تقريباً. وفي الشكل 8-19، فإن هبوط الجهد عبر الدايود المشع للضوء. ما مقدار التيار الكهربائي المار خلال كل مما يأتي؟

أراد عمر زيادة التيار المار خلال الدايود المشع للضوء في المسألة السابقة ليصبح 3×10³ mA على أن تكون إضاءته أكثر سطوعاً. افترض أن هبوط الجهد عبر الدايود المشع للضوء بقي V 1.2، فما مقدار المقاومة التي ينبغي له استخدامها؟

الدايود وصل دايود من السيليكون ذو الخصائص V/I الموضحة في الشكل 10-8 مع بطارية من خلال مقاومة مقدارها 270 Ω. إذا كان الدايود منحازاً أمامياً، وكان تيار الدايود يساوي 15 mA، وفي مقدار جهد البطارية المفتوح؟

افترض أن المفتاح الموضح في الشكل 8-20 مفتوح، وحدد كلاً من:

إتقان حل المسائل

1-8 التوصيل الكهربائي في المواد الصلبة

ما عدد الإلكترونات الحرة الموجودة في سنتيمتر مكعب من الصوديوم؟ علماً أن كثافته تساوي 0.971 g/cm³، وكتلته الذرية تساوي 22.99 g/mol، عندما يوجد إلكترون واحد حر في كل ذرة.

لعنصر السيليكون النقي تبلغ عدد الإلكترونات الحرة في كل سنتيمتر مكعب 1.55×10¹⁰ e-/cm³ عند درجة حرارة 0°C إذا علمت أن كثافة السيليكون

في الدائرة الموضحة في الشكل 8-18، حدد ما إذا كان أحد المصباحين L₁ و L₂ مضيئاً، أم كلاهما مضيء، أم كلاهما غير مضيء.

استخدم الجدول الدوري لتحديد أي العناصر الآتية يمكن أن يضاف إلى الجرمانيوم لتكوين أي نوع من النوع p: Si، Ge، B، C، N، P، Ga، As، In، Sn، Sb

هل يظهر جهاز الأميتر مقاومة أكبر عندما يكون الدايود من النوع pn منحازاً أمامياً أم منحازاً عكسياً؟

إذا أظهر جهاز الأميتر في المسألة السابقة مقاومة متدنية فهل يكون سلك التوصيل الأومميتر عند رأس الدايود مرتفع أم ذا جهد منخفض؛ مقارنة بالسلك الآخر الموصول بالأوميتر؟

إذا قمت بمعالجة الجرمانيوم النقي بأمبير، أم دايود، أم ترانزستوراً؟

تساوي 2.33 g/cm³، والكتلة الذرية للسيليكون تساوي 28.09 g/mol فما نسبة الذرات التي تحتوي على إلكترونات حرة؟ --- SECTION: 8-2 الأدوات الإلكترونية --- 8-2 الأدوات الإلكترونية --- SECTION: 54 --- LED إذا كان هبوط الجهد عبر الدايود المشع للضوء المتوهج يساوي 1.2 V تقريباً. وفي الشكل 8-19، فإن هبوط الجهد عبر الدايود المشع للضوء. ما مقدار التيار الكهربائي المار خلال كل مما يأتي؟ a. الدايود المشع للضوء LED b. المقاومة --- SECTION: 55 --- أراد عمر زيادة التيار المار خلال الدايود المشع للضوء في المسألة السابقة ليصبح 3×10³ mA على أن تكون إضاءته أكثر سطوعاً. افترض أن هبوط الجهد عبر الدايود المشع للضوء بقي V 1.2، فما مقدار المقاومة التي ينبغي له استخدامها؟ --- SECTION: 56 --- الدايود وصل دايود من السيليكون ذو الخصائص V/I الموضحة في الشكل 10-8 مع بطارية من خلال مقاومة مقدارها 270 Ω. إذا كان الدايود منحازاً أمامياً، وكان تيار الدايود يساوي 15 mA، وفي مقدار جهد البطارية المفتوح؟ --- SECTION: 57 --- افترض أن المفتاح الموضح في الشكل 8-20 مفتوح، وحدد كلاً من: a. تيار القاعدة. b. التيار الجامع. c. قراءة جهاز الفولتميتر. --- SECTION: إتقان حل المسائل --- إتقان حل المسائل --- SECTION: 1-8 التوصيل الكهربائي في المواد الصلبة --- 1-8 التوصيل الكهربائي في المواد الصلبة --- SECTION: 52 --- ما عدد الإلكترونات الحرة الموجودة في سنتيمتر مكعب من الصوديوم؟ علماً أن كثافته تساوي 0.971 g/cm³، وكتلته الذرية تساوي 22.99 g/mol، عندما يوجد إلكترون واحد حر في كل ذرة. --- SECTION: 53 --- لعنصر السيليكون النقي تبلغ عدد الإلكترونات الحرة في كل سنتيمتر مكعب 1.55×10¹⁰ e-/cm³ عند درجة حرارة 0°C إذا علمت أن كثافة السيليكون --- SECTION: 47 --- في الدائرة الموضحة في الشكل 8-18، حدد ما إذا كان أحد المصباحين L₁ و L₂ مضيئاً، أم كلاهما مضيء، أم كلاهما غير مضيء. --- SECTION: 48 --- استخدم الجدول الدوري لتحديد أي العناصر الآتية يمكن أن يضاف إلى الجرمانيوم لتكوين أي نوع من النوع p: Si، Ge، B، C، N، P، Ga، As، In، Sn، Sb --- SECTION: 49 --- هل يظهر جهاز الأميتر مقاومة أكبر عندما يكون الدايود من النوع pn منحازاً أمامياً أم منحازاً عكسياً؟ --- SECTION: 50 --- إذا أظهر جهاز الأميتر في المسألة السابقة مقاومة متدنية فهل يكون سلك التوصيل الأومميتر عند رأس الدايود مرتفع أم ذا جهد منخفض؛ مقارنة بالسلك الآخر الموصول بالأوميتر؟ --- SECTION: 51 --- إذا قمت بمعالجة الجرمانيوم النقي بأمبير، أم دايود، أم ترانزستوراً؟ --- VISUAL CONTEXT --- **DIAGRAM**: الشكل 8-19 Description: Circuit diagram showing a voltage source (V = 6.0 V), a resistor (R = 240 Ω), and an LED connected in series. X-axis: Not applicable Y-axis: Not applicable Key Values: Voltage source: 6.0 V, Resistance: 240 Ω Context: Illustrates a simple circuit with a voltage source, resistor, and LED, relevant for understanding voltage drops and current flow in electronic components. **DIAGRAM**: الشكل 8-19 Description: Circuit diagram showing a voltage source (V = 1.2 V), a resistor (R = 240 Ω), and an LED connected in series. This is the same diagram as for question 54, likely used for context. X-axis: Not applicable Y-axis: Not applicable Key Values: Voltage source: 1.2 V, Resistance: 240 Ω Context: Represents a circuit with a specific voltage source and resistor connected to an LED, used to calculate current based on Ohm's law and LED characteristics. **DIAGRAM**: الشكل 8-10 Description: Circuit diagram showing a battery (V/I), a resistor (270 Ω), and a silicon diode connected in series. The diagram implies a forward-biased configuration. X-axis: Not applicable Y-axis: Not applicable Key Values: Resistance: 270 Ω, Diode current: 15 mA (given in question) Context: Illustrates a basic semiconductor circuit with a diode, resistor, and battery, used to analyze current and voltage relationships in a forward-biased diode. **DIAGRAM**: الشكل 8-20 Description: Circuit diagram showing a transistor circuit with a switch ( المفتاح الموضح) that is stated to be open. It includes components for base current, collector current, and a voltmeter. X-axis: Not applicable Y-axis: Not applicable Context: Represents a transistor circuit in an open-switch state, used to determine current flow and voltage readings under specific conditions. **DIAGRAM**: الشكل 8-18 Description: A simple electrical circuit diagram with a voltage source and two lamps (L1 and L2) connected in parallel. The diagram shows the polarity of the voltage source. X-axis: Not applicable Y-axis: Not applicable Context: Illustrates a parallel circuit configuration with two lamps, used to analyze current distribution and voltage across components.